Обзор модулей оперативной памяти DDR2-800 TwinMOS 8DRT5MA8-TATP 2 ГБ

Уже почти год как память стандарта DDR3 стала оптимальной по соотношению цены и производительности для установки в современный ПК. Однако далеко не все пользователи стремятся иметь компьютер с самой новой «начинкой», многих устраивает и имеющаяся производительность. Вот только программные комплексы из года в год становятся более функциональными и прожорливыми к ресурсам памяти. Именно нехватка оперативной памяти, часто ведет к существенному снижению производительности всей системы. Вот и приходится приобретать не самые передовые, но очень необходимые модули памяти стандарта DDR2-800 для увеличения быстродействия настольного ПК.

Не прибывая в долгом поиске, мы взяли для тестирования самые доступные из оказавшихся в нашем распоряжении модули памяти DDR2-800 TwinMOS 8DRT5MA8-TATP.

Два модуля памяти TwinMOS 8DRT5MA8-TATP объемом по 2 ГБ являются самыми обычными решениями DDR2 с реальной рабочей частотой микросхем памяти до 400 МГц. Они явно не претендуют на оверклокерские перспективы и эксклюзивный дизайн, но сейчас нас больше интересует надежность работы и их возможности, быстродействие.

Отсутствие упаковки у TwinMOS 8DRT5MA8-TATP DDR2-800 свидетельствует о том, что это OEM продукт, который, как и все товары этой категории, обладает невысокой ценой. Однако это ни как не должно отразиться на стабильности работы и быстродействии данных модулей оперативной памяти.

Сами модули выполнены на двусторонней печатной плате, с каждой стороны которой находятся по 8 микросхем. Никакого радиатора здесь не предусматривается, что может ограничить возможности разгона микросхем памяти. Однако потребность в дополнительном охлаждении при установке TwinMOS 8DRT5MA8-TATP в стандартный ПК со штатными частотами работы модулей памяти возникнуть не должна.

На одной из боковых сторон имеется наклейка, которая несет информацию о модели модуля, его объеме в 2 ГБ, стандарте DDR2 и эффективной рабочей частоте 800 МГц (PC6400). Также здесь приводится и некоторая более низкоуровневая информация: архитектура модуля 8×128 МБ 16IC, т.е. он состоит из 2x 8 чипов по 128 МБ; основная задержка Column Address Strobe (CAS) latency или сокращенно CL составляет 6 тактов; сам модуль конструктивно выполнен в виде U-DIMM – обычная не буферизированная память для ПК.

Чипы памяти, из которых набраны модули, имеют собственную маркировку производителя. Наличие у компании TwinMOS полного цикла производства памяти должно несколько снижать себестоимость конечной продукции.

Утилиты CPU-Z и AIDA64 достаточно подробно визуализируют информацию, которая записана в SPD модуля. По этим инструкциям BIOS материнской платы автоматически определяет рекомендованные режимы работы модулей памяти, что позволяет максимально корректно настроить систему для запуска. В модуле TwinMOS 8DRT5MA8-TATP записаны четыре стандартных JEDEC-режима работы: DDR2-533, DDR2-667 и DDR2-800 при соответствующих задержках и напряжении питания 1,8 В. Наиболее быстрым, а значить и наиболее востребованным, режимом является DDR2-800 при задержках (таймингах) 6-6-6-18-24 для CL-tRCD-tRP-tRAS-tRC соответственно.

Какими-либо расширениями (EPP или XMP), а также сертификатом «SLI Ready», данные модули отличиться не смогут. С одной стороны это говорит об ориентации этой оперативной памяти на работу в обычных системах, а с другой – ничто не увеличивает их стоимость.

Характеристики модуля:

Производитель и модель

TwinMOS 8DRT5MA8-TATP

Тип памяти

DDR2

Объем модуля, ГБ

2

Форм-фактор

240 pin U-DIMM

Стандартные режимы работы JEDEC

DDR2-800 6-6-6-18-24 1.8V
DDR2-667 5-5-5-15-20 1.8V
DDR2-533 4-4-4-12-16 1.8V

Расширенные профили XMP/EPP

Нет

Дополнительные сертификаты

Рабочий диапазон температур, ºС

Энергопотребление, мВт

247 при 1,8 В

Сайт производителя

http://www.twinmos.com/

Техническая информация, которую нам удалось найти для модулей TwinMOS 8DRT5MA8-TATP, не выделяет их ничем среди массы подобных решений. Намного более интересными должны оказаться данные реального тестирования и анализа быстродействия и разгонного потенциала.

Тестирование производительности

В тестирование в качестве оппонентов паре TwinMOS 8DRT5MA8-TATP использовались два модуля Team Elite-800 TEDD2048M800HC6, которые имеют аналогичные рабочие характеристики.

Так же для анализа прироста производительности от использования DDR3 в сравнении с DDR2 памятью были взяты два модуля DDR3 TwinMOS 9DRTBKZ8-TATP, которые в виду ограничений материнской платы смогли заработать на реальной частоте в 533 МГц.

Стенд для тестирования оперативной памяти.

Процессор

Intel Core 2 Duo E6300 (Conroe-2M, LGA775, 1,866 ГГц, L2 2 МБ)

Материнские платы

MSI P45C NEO-FIR (Intel P45, LGA 775, DDR2/DDR3, ATX)

Кулер (Intel)

Thermalright SI-128 (LGA775) + VIZO Starlet UVLED120 (62,7 CFM, 31,1 дБ)

Видеокарта

ZOTAC GeForce GTX 480 AMP! (NVIDIA GeForce GTX 480, 1,5 ГБ GDDR5, PCIe 2.0)

Жесткий диск

Hitachi Deskstar HDS721616PLA380 (160 ГБ, 16 МБ, SATA-300)

Оптический привод

ASUS DRW-1814BLT SATA

Блок питания

Seasonic M12II-500 (SS-500GM), 120 мм fan

Как уже было сказано, рекомендованными рабочими режимами для памяти TwinMOS 8DRT5MA8-TATP являются DDR2-800 6-6-6-18-24 1.8V, DDR2-667 5-5-5-15-20 1.8V, DDR2-533 4-4-4-12-16 1.8V. При тестировании будет использоваться режим DDR2-800 6-6-6-18-24 1.8V, так как он самый востребованный и самый производительный из стандартных для этих модулей памяти. Также 2х TwinMOS 8DRT5MA8-TATP будут протестированы в разогнанном до частоты 533 МГц (DDR2-1066 при таймигнах 6-6-6-18) состоянии.

В результате анализа полученных результатов, можно смело говорить о полном соответствии производительности модулей TwinMOS 8DRT5MA8-TATP быстродействию Team Elite-800 TEDD2048M800HC6, которые имеют такую же эффективную рабочую частоту. Малозаметные колебания производительности можно назвать погрешностью тестирования.

Интересен и факт незначительного снижения быстродействия системы при использовании модулей памяти стандарта DDR3-1066 7-7-7-20 в отличие от разогнанных до частоты 533 МГц при задержках 6-6-6-18 модулей памяти стандарта DDR2. Сказались более высокие тайминги работы памяти DDR3 TwinMOS 9DRTBKZ8-TATP, что увеличило её время отклика.

Проверка стабильности работы модулей памяти TwinMOS 8DRT5MA8-TATP осуществлялась различными тестами, в том числе стандартным модулем проверки памяти, который встроен в операционную систему WINDOWS 7.

Как видно из приведенного изображения, неполадок после 184 итераций теста обнаружено не было. Такие результаты говорят об отличной стабильности работы попавших на тестирование модулей памяти DDR2-800 TwinMOS 8DRT5MA8-TATP, а именно этот критерий и является для оперативной памяти этого класса самым главным. Однако стабильность работы на рекомендованных частотах и хорошее быстродействие это не все факторы, которые учитываются при выборе модулей памяти во время их покупки. Значительную долю уверенности в длительном сроке стабильной работы модулей памяти TwinMOS 8DRT5MA8-TATP, может привнести и присутствие возможности их разгона.

Разгон

Разгон комплекта памяти DDR2-400 TwinMOS 8DRT5MA8-TATP был произведен при стандартных наборах задержек (6-6-6-18) без увеличения напряжения питания 1,8 В простым методом увеличения множителя, который доступен на используемой материнской плате.

Модули памяти смогли покорить частоту в 533 МГц, что не характерно для массовых микросхем памяти DDR2 этого класса от других производителей. Работа на этой частоте была протестирована несколькими тестовыми пакетами, в том числе стандартным модулем проверки, встроенным в операционную систему WINDOWS 7.

Частотный запас, который выливается в разгонный потенциал, часто является залогом надежности и долговечности работы микросхем памяти в номинальном режиме, а для таких доступных модулей DDR2-800 как TwinMOS 8DRT5MA8-TATP он станет и важным аргументом в процессе выбора. Кроме того, на момент написания статьи стоимость одного модуля TwinMOS 8DRT5MA8-TATP составила чуть более 26 $ за 2 ГБ DDR2-800 по данным сайта официального дистрибьютора.

Стоит оговориться, что возможность разгона вряд ли будет распространяться на все модули памяти с такой маркировкой. В любом разгоне присутствует большая доля везения. Однако всегда можно купить попробовать и вернуть продукт в магазин. Благо наши законы это позволяют.

Итоги

Модули памяти DDR2-800 TwinMOS 8DRT5MA8-TATP, которые принимали участие в нашем обзоре, являются недорогим массовым решением. Наравне с отличной стабильностью работы, данные модули памяти обладают хорошим разгонным потенциалом и имеют очень доступную цену. В сравнении с более дорогими участниками нашего тестирования, модулями памяти Team Elite-800 TEDD2048M800HC6, решения от компании TwinMOS являются более доступными при равных возможностях. Работая в номинальном режиме с задержками 6-6-6-18, эти модули обеспечивают такой же уровень быстродействия, как и любая другая оперативная память DDR2, которая работает на сходной частоте. Протестированная нами возможность стабильной работы на частоте в 533 МГц (DDR2-1066) с задержками 6-6-6-18 при напряжении питания 1,8 В поможет немного ускорить компьютер пользователя и является значительным залогом высокой надежности данных модулей при их работе в номинальном режиме.

Модули памяти TwinMOS 8DRT5MA8-TATP подойдут как для среднестатистического офисного ПК, так и для домашней системы. Их выгодно отличает от конкурентов очень доступная стоимость в сочетании с высокой стабильностью работы.

Валерий Паровышник

Выражаем благодарность компании «Single Computing», официальному дистрибьютору TwinMOS, за предоставленные на тестирования модули памяти.

Выражаем благодарность компаниям Intel, SeaSonic и ZOTAC за предоставленное для тестового стенда оборудование.

Также предлагаем почитать:
Обзор бюджетных модулей памяти M.tec 9DEEBMZB-5AMP DDR3-1333 по 2 ГБ
Обзор 8 ГБ комплекта памяти Silicon Power DDR3-1333 SP008GBLTU133V21

опубликовано 28-11-2011

Статья прочитана 10972 раз(а)

itpress

Редакция выражает благодарность за предоставленное оборудование компаниям СтартМастер (т.(095) 967-1515, www.startmaster.ru), NEVADA (т.(095)101-2819, www.nevada.ru).

В большинстве наших материалов мы не раз упоминали о важной роли памяти в твоей системе. Ее параметры, такие как тайминги и частота, довольно сильно отражаются на производительности всей системы, но на разных конфигурациях влияние оперативной памяти совершенно разное. В одном случае больший прирост дает уменьшение задержки, в другом – наилучший результат достигается путем увеличения заветных мегагерц. Что же делать? Ударяться в крайности и снижать до предела тайминги или, наоборот, завышать частоту? Или все же искать компромисс, ту «золотую середину», когда достаточно высокая частота сочетается с довольно маленькими задержками? Искать ответ на этот вопрос в теории можно очень долго и безрезультатно, поэтому, вооружившись необходимыми «железками», мы решили проверить все на практике. Ниже ты узнаешь, что в результате из этого получилось. Заметим, что цель данного исследования не выяснить, насколько сильно можно разогнать ту или иную планку памяти, а проследить влияние изменения параметров работы оперативки на производительность системы на основе платформы Intel.

Какой бы производительный процессор ни был, он работает не сам по себе, а в тесной связи с другими компонентами системы. Вполне естественно, что эти компоненты могут наложить на его функционирование свои ограничения. Память в данном случае является одним из главнейших факторов – ведь пока данные не поступят из нее в процессор, обрабатывать их он не сможет. Конечно, свою роль здесь играет и системная шина (а значит, особенности материнской платы), и мощность самого «камня», но, тем не менее, первостепенная цель нашего исследования – именно оперативная памяти. Мы остановили свой выбор на продукции компании Corsair – модулях памяти DDR2-675 XMS2 (они же TWIN2X1024A-5400UL).

О добром «Корсаре» замолвите слово…

Как ты уже, наверное, догадался, наш выбор пал на эти модули неспроста. На данный момент вряд ли существует более качественная память DDR-2, способная работать на частоте DDR675 с донельзя заниженными таймингами! Теперь расскажем о ней подробнее.

Плашки Corsair DDR2-675 XMS2 внешне не сильно выделяются среди прочих оверклокерских модулей – это немного странно, учитывая их экстремальную направленность. Единственное, что выдает их назначение, – симпатичные, но довольно слабые радиаторы на чипах. Но недооценивать их не стоит: как уже показала практика, эта память могла бы прекрасно себя чувствовать и вовсе без охлаждения – греются чипы совсем немного. Память поставляется в Dual Channel комплекте из двух модулей 512 Мб, на которых указаны лишь основные характеристики. И они впечатляют – на частоте DDR675 официально заявлена работа с таймингами 3-2-2-5! Отметим, что эта память уже участвовала в наших тестированиях – тогда нам удалось заставить ее работать с таймингами 3-2-2-7 на частоте DDR711. Для памяти DDR-2 это просто сумасшедший результат! Но при этом есть и один подводный коCень: модули требуют напряжение питания 2.1 В, которое отнюдь не каждая материнская плата способна обеспечить. Вдвойне странно, что об этой интересной особенности нигде, кроме официального сайта, не сообщается, так что при выборе подобных плашек внимательно оцени возможности своего «железа». Также отметим, что в SPD этих модулей зашито только одно значение таймингов – для частоты DDR666 оно составляет 4-4-4-15. В этом нет ничего страшного, просто все прочие тайминги придется выставлять вручную. Впрочем, и на этой частоте мы советуем их уменьшить, так как потенциал у памяти есть – почему же его не использовать?

Материнская плата

Раз уж мы упомянули о том, что «мамка», работающая с этой памятью, должна иметь неслабые характеристики, расскажем о нашей модели. Для теста мы взяли одну из топовых плат компании Asus, наверное, лучшее решение для платформы Intel – модель P5AD2-E Premium. Устройство собрано на базе чипсета Intel i925XE, отличающегося наилучшей среди других представителей линейки работой с памятью и ориентированного на высокопроизводительные системы. Умеет плата все, что нам потребуется и даже немного больше – комплектация и функциональность у девайса выше всяких похвал. Для нас особенно важно, что управление настройками памяти достаточно гибкое: есть необходимые делители частоты, тайминги легко изменяются, напряжение варьируется в широком диапазоне. В общем, есть с чем подойти к нашим строптивым модулям. Единственное, чего не хватает Asus P5AD2-E Premium, так это, пожалуй, качественного охлаждения на чипсете. Здешний пассивный радиатор свои функции, конечно, выполняет, но не настолько качественно, как это можно ожидать от топовой платы.

Тайминги

Так как тайминги памяти и их зависимость от частоты – основная тема нашего материала, хотелось бы о них немного рассказать. В принципе, это уже не первое наше тестирование памяти – в многочисленных прошлых тестах обо всех параметрах оперативки уже говорилось, но на всякий случай освежим эту информацию.

Память, по своей сути, – это совокупность массивов (банков), то есть, обыкновенных таблиц. Соответственно, чтобы считать какие-либо данные из нее, нужно получить доступ к требуемой ячейке. Делается это путем подачи на необходимую строку специального сигнала – этот процесс называется ее активацией, и уже после этого из необходимого столбца считывается информация. Помимо этого процесса есть и еще один: ячейки, образующие массив, содержат в своей основе конденсаторы, и после активации строки, их заряд постепенно начинает уменьшаться. Таким образом, в определенный момент строка попросту закрывается для доступа, и происходит ее подзарядка. Два этих процесса – активация и закрытие строки – протекают с определенными задержками, влияющими на общую производительность подсистемы памяти, и как раз служат основой для небезызвестной формулы таймингов. Надо сказать, что на самом деле задержек в механизме работы памяти гораздо больше, но на производительность влияние оказывают именно четыре. Вот они: CAS Latency (CL) – задержка от момента запроса данных до начала их считывания, RAS to CAS Delay (tRCD) – задержка между активацией столбца и ячейки, RAS Precharge (tRP) – задержка между командами закрытия строки и активацией ее повторно, RAS Active to Precharge (tRAS) – задержка между командой активации и командой закрытия. Все это вместе – те самые заветные 3-2-2-8, где первая цифра – CL, вторая – tRCD, третья – tRP и пследняя – tRAS. Задержки измеряются в тактах. Основное влияние на производительность оказывает именно CAS Latency, и именно она при понижении «тянет» за собой вниз максимально возможную рабочую частоту памяти, так как при высокой тактовой частоте память уже не успевает выполнить за маленькое количество тактов необходимые операции, и возникают ошибки.

Первые модули DDR2 имели достаточно высокие тайминги по сравнению с обычной памятью DDR, поэтому ставку приходилось делать именно на высокую в перспективе рабочую частоту. Теперь, когда достигнута и она, производители, кажется, решили вновь порадовать оверклокеров, опустив задержки до уровня модулей прошлого поколения. Что ж, посмотрим, что из этого получилось…

Тестовый стенд

Как обычно, тестовая система собиралась только из самых производительных и наиболее подходящих к нашей теме комплектующих. Мы взяли процессор Intel Pentium 4 530 (Prescott), имеющий тактовую частоту 3.0 ГГц и работающий на шине 800 МГц – отличный «камешек», идеально вписывающийся в концепцию нашего теста. Чтобы максимально снизить влияние видеоподсистемы на результаты тестов, нам пришлось использовать очень мощную видеокарту – HIS Radeon X800XL IceQ II.

Ее графического процессора ATI Radeon X800XL с головой хватает для используемых тестовых приложений, тем более что высокие разрешения нам были не нужны. Ну и, конечно же, питание – этому аспекту тестовой системы всегда уделяется самое пристальное внимание. В этот раз мы не изменили себе и взяли проверенный в боях Thermaltake PurePower Butterfly W0020 на 480 Вт – для нашей системы большего не требуется.

  • Материнская плата: Asus P5AD2-E Premium
  • Процессор: Intel Pentium 4 530 (3.0 ГГц, Prescott)
  • Видеокарта: HIS Radeon X800XL IceQ II 256 Мб
  • Память:2х512 Мб Corsair DDR-2 675 CM2X512A-5400UL 3-2-2-8
  • Кулер: Zalman CNPS7700 Cu
  • Жесткий диск: Western Digital WD200 SATA
  • Блок питания: 480 Вт Thermaltake PurePower Butterfly W0020

Результаты

Как и ожидалось, память с честью выдержала все навязанные нами на тестируемых частотах тайминги – Memtest x86 оказался нужен лишь для подстраховки. Что же это дало нам в тестовых приложениях?

Итак, 3DMark 2001 SE, как оказалось, реагирует на повышение частоты памяти довольно чутко – переход рубежа в 533 МГц прибавил ему 200 единиц, а отметка в 600 МГц подняла результат еще примерно на 300 единиц. Повышение таймингов быстро поставило все на свои места: так, на частоте DDR533 с формулой 5-5-5-15 тест показал более низкий результат, чем на DDR400 с задержками 3-2-2-5. Аналогичная картина проявилась и при сравнении DDR600 с DDR533 – большие задержки не помогли памяти, работающей на повышенной частоте, и резко утянули ее вниз. Пристально взглянув на показания тестов при частоте DDR600, можно заметить, что параметр tRAS несколько странно влияет на производительность. Он, а также RAS Precharge, местами при повышении даже увеличивают количество баллов! Где-то разница укладывается в погрешность измерений, где-то достигает сотни баллов, что уже тянет на небольшой, но вполне реальный прирост. Подобная картина наблюдается не только на высокой частоте и не только с параметром tRAS. Так, в режиме DDR533 формула 4-4-4-12 в сравнении с 3-3-3-8 позволила получить прирост в 100 баллов – довольно интересный показатель.

С WinRAR ситуация примерно такая же, правда, здесь уже никаких неожиданностей нет. На участке DDR533 легко заметить нелюбовь архиватора к повышению, казалось бы, маловажных параметров tRCD, tRP и tRAS. Изучив же результаты, соответствующе частоте DDR600, можно предположить, что основное влияние на падение производительности оказал именно tRP – формула 3-5-2-5 оказалась чуть производительнее, чем 3-2-3-5. Обратив внимание RAS Active to Prechargе, видим, что если результат от его повышения и отражается на WinRAR, то только до значения 8 – дальнейшее изменение тайминга вообще практически ничего не дает. Ну а максимальные тайминги традиционно понижают производительность памяти на любой частоте до ее предыдущего уровня и даже немного ниже.

В вычислении числа «пи» все, опять же, стандартно – высокая производительность наблюдается там, где сочетаются самые низкие тайминги с самой высокой частотой. Правда, параметр tRAS здесь, как видно, роли вообще не играет, чего не скажешь о tRCD – пусть ненамного, но процесс он затормаживает. Также нет никакой разницы между значениями CAS Latency 4 и 5 – есть лишь небольшое отличие на частоте DDR600, но, опять же, все может упираться в погрешность.

Результат PCMark’04 от частоты памяти зависит довольно слабо – как еще объяснить почти одинаковый показатель DDR400 и DDR600 с минимальной формулой таймингов? Однако не совсем понятно «проседание» на частоте DDR533 – маленькие задержки уже не помогли, хотя с максимальными их значениями (5-5-5-15) система на этой частоте смогла обогнать свои результаты на DDR400 с аналогичной формулой. Параметр tRAS опять показал свое полное бессилие в попытках повлиять на скорость – здесь победа за CAS Latency.

В Doom 3 было бы странно ожидать большого влияния частоты и таймингов памяти на FPS, тем не менее, оно есть – разница между DDR400 с формулой 4-4-4-12 и DDR600 с 3-2-2-5 составляет 8 FPS. Это, конечно, не громадный прирост, но заметь – он достигается только лишь путем оптимизации работы памяти, на которую вообще редко кто обращает пристальное внимание, увлекшись экстремальным разгоном процессора или видеокарты. Кстати, это второе после 3DMark’01 SE приложение, наглядно отражающее разницу в производительности при увеличении параметра tRAS. В целом же, картина уже тебе знакома: большая частота памяти увеличивает FPS, меньшие тайминги еще больше его подстегивают, увеличенные – нещадно обрезают. Вновь при выборе между минимальной формулой задержек с меньшей частотой и большей частотой при сильно завышенных таймингах лучше сделать выбор в пользу первого варианта.

Рубрики: IT

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *